IBM представила пам’ять PCM із записом трьох біт в кожну комірку

Днями IBM представила прототип першої в світі пам’яті PCM із записом трьох біт даних в кожну комірку.

IBM представила пам'ять PCM із записом трьох біт в кожну комірку

Технологія PCM (phase-change memory) використовує зміну фазового стану речовини і захищає комірку пам’яті від зносу, який спостерігається в комірці NAND-флеш із зберіганням заряду. Вважається, що пам’ять PCM може витримати на кілька порядків більше перезаписів (до 10 млн циклів), ніж в разі NAND.

Дослідження даної технології проводяться вже досить давно, але до цих пір масового поширення енергонезалежна пам’ять PCM не отримала. Це пов’язано з її дуже маленькою щільністю запису. У реальних системах домінують мікросхеми DRAM і NAND.

Команда розробників компанії IBM збирається змінити розстановку сил на ринку флеш-пам’яті. У компанії змогли потроїти ємність чіпа PCM, не зменшуючи її масштаб техпроцесу і не знижуючи обсяг комірки. Це може привести до більш широкого використання пам’яті PCM в якості заміни в пристроях пам’яті NAND і DRAM одночасно, оскільки за швидкістю роботи пам’ять PCM ближче до швидкості роботи оперативної пам’яті, ніж до актуальної незалежній пам’яті NAND.